机译:氟注入可有效控制p型金属氧化物半导体高k金属栅叠层中的功函数
机译:稀土金属对n沟道金属氧化物半导体器件应用中的全硅化栅极/高k电介质堆叠的有效功函数调制的作用
机译:顶部TiN和TaN厚度的工艺条件对具有高k /金属栅叠层的MOSCAP的有效功函数的影响
机译:镧系元素植入NMOS高κ/金属栅极堆中有效功效控制
机译:系统评估金属栅电极的有效功函数及其对CMOS器件性能的影响。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:金属/ Hf基高k栅叠层中功函数转换的系统研究